Таблица 1. Первая формулировка комплектов графиков
Таблица 2. Вторая формулировка комплектов графиков
Таблица 3. Вторая формулировка комплектов графиков
При этом каждая таблица может быть представлена в 2 масштабах 10>—2, 10>—3 в Рис. 20—22, при том же равная по виду с масштабов по 10>—5 и 10>—6.
Рис. 20. Первая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10>—2 и 10>—3
Рис. 21. Вторая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10>—2 и 10>—3
Рис. 22. Третья форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10>—2 и 10>—3
В результате была получена дискретная общая форма организованного полупроводникового элемента, однако при организованном эмпирическом расчёте полученная вариация может быть представлена согласно детектируемым показателям. Так, зависимости спектрального характера при взаимодействии с внешним коронным разрядом показывают изменение Рис. 24, когда же изменение высоты в масштабе потенциального барьера, необходимого для преодоления электронами могут быть представлены согласно Рис. 23.
Рис. 23. Рост потенциального барьера электронов с наличие стороннего источника потенциального поля
Рис. 24. Спектральный характер взаимодействия под действием стороннего электростатического поля
Каждый из полученных результатов на данный момент является важным и актуальным элементом исследования, который наглядно подтверждается согласно степени корреляции с полученными теоретическими данными в рамках постановки граничных условий для выведенного уравнения электропроводности.
Заключение
В результате исследования был представлен алгоритм моделирования, позволяющий описать явления класса электропроводности, под действием стороннего поля. В том числе большое внимание было уделено непосредственной стадии моделирования в статичной форме полупроводниковому элементу типа n-p-n, состоящий из теллурида кадмия, оксида кремния и кристаллического кремния. Дальнейшие работы в настоящем направлении являются также актуальными, наряду с последующим сведением в аналитический вид комплексной сборки элементов и их комбинаций, участвующие в сборке исследованного в настоящей работе полупроводникового элемента.
Использованная литература
1. Deng, Z., Li, K., Priimagi, A. et al. Light-steerable locomotion using zero-elastic-energy modes. Nat. Mater. (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-02026-4
2. Lee, KJ., Cros, V. & Lee, HW. Electric-field-induced orbital angular momentum in metals. Nat. Mater. 23, 1302—1304 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01978-x
3. Lin, X., Zhang, S., Yang, M. et al. A family of dual-anion-based sodium superionic conductors for all-solid-state sodium-ion batteries. Nat. Mater. (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-02011-x
4. An approach to identify and synthesize memristive III—V semiconductors. Nat. Mater. 23, 1322—1323 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01991-0
5. Liu, L., Ji, Y., Bianchi, M. et al. A metastable pentagonal 2D material synthesized by symmetry-driven epitaxy. Nat. Mater. 23, 1339—1346 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01987-w
6. Li, Z., Zhai, L., Zhang, Q. et al. 1T′-transition metal dichalcogenide monolayers stabilized on 4H-Au nanowires for ultrasensitive SERS detection. Nat. Mater. 23, 1355—1362 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01860-w
7. Miura, M., Eley, S., Iida, K. et al. Quadrupling the depairing current density in the iron-based superconductor SmFeAsO1—xHx. Nat. Mater. 23, 1370—1378 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01952-7
8. Hackett, L., Koppa, M., Smith, B. et al. Giant electron-mediated phononic nonlinearity in semiconductor—piezoelectric heterostructures. Nat. Mater. 23, 1386—1393 (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01882-4