Проведенные электронно-микроскопические исследования показали, что с ростом температуры конденсации размер кристаллитов увеличивается. При воздействии лазерных импульсов плёнок Pb_>0.8Sn_>0.2Te конденсированных при температуре Т_>с=373 К обнаружено, что при энергиях облучения W> 0.15Дж/см^>2 наблюдается нарушение адгезии конденсата с подложкой. В этой связи энергии облучения были меньше указанной величины.

Надо отметить, что эти энергии также меньше энергии расчетного значения поговой энергии плавления плёнок при лазерной обработке в наносекундном диапазоне, которая составляет 02Дж/см^>2 [1].

В данной работе приведены исследования влияния лазерного отжига (ЛО) на кинетические свойства поликристаллических пленок Рb_>0.8Sn_>0.2Te, полученных на полиимидной и слюдяной подложках термовакуумной технологией при различных температурах конденсации [2]. Облучение проводили в режиме модулированной добротности промышленным лазером с рубиновым излучателем (l= 0,69 мкм, t_>имп=50 нс). Плотность энергии в лазерном импульсе регулировали путем фокусировки светового пучка. Измерялись кинетические коэффициенты пленок от числа воздействия лазерного импульса. Одновременно изучались структура исходных и облученных пленок с помощью растровой электронной микроскопии.

Измерены проводимость s, концентрация носителей р_>н и коэффициент термоэдс a в зависимости от числа лазерных импульсов пленок конденсированных при разных температурах подложки. Результаты проведенных исследований показали, что при повышении Т_>с проводимость пленок s увеличивается, а коэффициент термоэдс a уменьшается. При воздействии лазерных импульсов в пленках наблюдается спад s и a.

Электронно-микроскопические исследования пленок показали, что при повышении Т_>с от 300К до 600К размер кристаллитов увеличивается от (5—6) 10^>2 до 10^>4 >оА и в этих пленках с повышением Т_>с наблюдается увеличение s и уменьшение a.

Заметные структурные изменения при ЛО наблюдались в пленках полученных на слюде при Тс=570К, т.е. при более высоких температурах конденсации. Здесь обнаруживается рост монокристальных фрагментов, размер которых во много раз превышал размеры кристаллитов в исходных необлученных конденсатах.

Процессами, ответственными за кристаллизационные явления, на наш взгляд, являются частичное плавление конденсатов при лазерном облучении (частичное, так как энергия в импульсе меньше порога плавления) и ударная кристаллизация (ускоренная кристаллизация в твердой фазе).

Приведён характер изменения концентрации дырок в пленках Вi_>2Sb_>xTe_>3 при g-облучение (источник Со^>60, интенсивность 10^>3Р/с) в свежеосажденных плёнках и плёнке, предварительно отожженной на воздухе при 420 К в течении 3 часов, у которой концентрация дырок до отжига совпадала с исходной концентрацией дырок.

Были отмечены следующие закономерности:

1. В образцах с исходными значениями концентрации дырок р ~ 8 10^>18см^>-3, g – облучение приводит к их монотоннному увеличению с выходом при Ф_>g> 10^>8Р на насыщение (кривая 1); при 10^>19 

>19 см^>-3 концентрация дырок при облучении уменьшается. При Ф_>g»10^>8 Р наблюдается незначительное увеличение и в дальнейшем принимает постоянное значение (кривая 2). Постоянному значению в обоих случаях соответствует одна и та же концентрация дырок р» 9 х 10^>18 см^>-3 (штриховая линия на рисунке).

2. При р> 5х10^>19 см^>-3 с ростом Ф_>g наблюдается уменьшение концентрации со снижением интенсивности процесса по мере увеличения Ф