22. Тартынов, Г. Н. Экспериментальная ядерная физика. Т. 3. Физика элементарных частиц: Учебник КПТ / Г. Н. Тартынов. – СПб.: Лань КПТ, 2016. – 432 c.

УДК 621.383

Аннотация. Активность в области использования полупроводниковых материалов в области энергетических технологий на сегодняшний день открывает большое количество возможностей, что говорит о необходимости дальнейшего более активного развития и использования. Кроме того, стоит также обращать внимание и на применение большого количества различных материалов среди коих могут выделяться отдельные представители, резко повышающие общую эффективность всей полупроводниковой конструкции и находящиеся на данный момент в большем приоритете по подобному измерению в лице бинарных, тернарных и т. д. химический соединений.

Ключевые слова: теллурид кадмия, полупроводниковые элементы, фотоэлектрические устройства, эффективность, технология производства, индустриализация.

Annotation. Activity in the field of the use of semiconductor materials in the field of energy technologies today opens up a large number of opportunities, which indicates the need for further more active development and use. In addition, it is also worth paying attention to the use of a large number of different materials, among which individual representatives may stand out, dramatically increasing the overall efficiency of the entire semiconductor structure and are currently in greater priority for such a measurement in the face of binary, ternary, etc. chemical compounds.

Keywords: cadmium telluride, semiconductor elements, photovoltaic devices, efficiency, production technology, industrialization.

Фотоэлектрические элементы, как известно, основывающиеся на методе генерации электрической энергии благодаря малой энергии, которую необходимо прикладывать в лице того или иного излучения, действуют по законам фотоэлектрических явлений (частные уравнения) (1—2).

И прежде чем давать некоторые выводы относительно того или иного элемента, признаваемое как основное для создаваемого полупроводникового элемента, стоит рассмотреть настоящее химические соединение по самым различным его параметрам. В данном случае на роль такого соединения выходит теллурид кадмия (Рис. 1), являющееся бинарным соединением кадмия и теллура, а также считаемый полупроводником 2-а и 6-б группы с шириной запрещённой зоны при температурах в 300 К в 1,49 эВ.

Рис. 1. Кристалл теллурида кадмия

Применение этого элемента на данный момент действительно популярно при создании солнечных батарей, детекторов ионизирующего излучения и фотоприёмников, однако математическая база этих явлений всё также требуют рассмотрения. Этот материал при обычном своём состоянии является твёрдым с молярной массой в 240,01 г/моль и плотностью 5,85 г/см^>3, обладает после своего образования температурой плавления 1092 градуса по Цельсию с кубической структурой или структурой сфалерита, также популярный в народе как цинковая обманка.

У образованного материала коэффициент линейного теплового расширения составляет 5,9*10^>—6 1/К при достижении значения температур в 293 К. Модуль Юнга у такого материала достигает 52 Гпа с коэффициентом Пуассона 0,41. Ещё одним, для некоторых случаев благоприятных моментов является обстоятельство его прозрачности для инфракрасного излучения от 830 нм, однако отрицательным в случае необходимости детектирования подобного рода классов излучений. Необходимо отметить, что это излучение, зависимое от энергии, близкой к ширине запрещённой зоны материала в 1,5 эВ при 300 К, что и становится причиной его прозрачности для такого рода излучений, соответствующие 20 мкм.