С учетом плеохроизма и анизотропии отражения света в SbSI [6] были получены следующие значения:

К_>314∙10^>—8; К_>323∙10^>—8; K_>33 (2—3) ∙10^>—8А∙см∙ (Вт)^{> -1}. Таким образом, в SbSI фотовольтаические коэффициенты K_>31, K_>32, K_>33 более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты в LiNbO_>3: Fe.

Рис.1. Зависимость фотовольтаического тока J_>z (1) при l = 600 нм и J_>x (2) при l = 460 от ориентации плоскости поляризации света в SbSI.

Согласно (2), для SbSI компоненты фотовольтаического тока и являются пространственно-осциллирующими. Однако при освещении кристалла в области сильного поглощения в направлении осей x или y и при выполнении условия (3) вдоль поверхностей (100) и (010), соответственно, текут токи.

где β – угол между плоскостью поляризации света и осью z. Согласно [1,7] для SbSI условие сильного поглощения (3), должно выполняться уже при λ470 нм. Для наблюдения ПОФТ в условиях сильного поглощения на грань цинакоида (010) напылялись серебряные электроды в форме полос, параллельных оси спонтанной поляризации z. С помощью этих электродов при освещении кристалла в направлении [010] поляризованным светом с λ=460 нм измерялся ток J_>x кривая 2 и длинноволновой области (λ=600нм, кривая 1) измерялся ток J_>z. Угловая зависимость измеряемого тока удовлетворяет (5), в том время как ток J_>х в этой области вообще не может наблюдаться из-за нарушения условия (3) и пространственной осцилляции. На рис. 2 представлены спектральные J_>z (кривая 1), J_>x (кривая 2), отнесённые к единице падающий энергии, а также спектральная зависимость

построенная с учётом дисперсии n_>0, n_>е и коэффициента поглощения α^>* в [010] направления.

Угловую зависимость J_>x (β) в форме кривой 2, которая хорошо согласуется с (7) при К_>15= (2—4) ·10^>—9А·см· (Вт)^{> -1} (λ=460нм).

Рис. 2. Спектральная зависимость J_>z (1), J_>x (2) и L=l_>0α^>* (3).

В то время, как измерявшаяся ранее в спектральная зависимость J_>zявляется монотонной, спектральная зависимость J_>x обнаруживает резкий максимум вблизи L1. Таким образом, спад J_>x в длинноволновой области, где L <<1, обуcловлен ПОФТ. Интересен спад J_>x в коротко волновой области, где L> 1.Так как АФ эффект не связан с временем жизни неравновесных носителей, то, возможно, это коротковолновой спад J_>x обусловлен уменьшением K_>15 и, следовательно, подвижности в направлении [100].

В работе рассмотрен фотовольтаические эффекты в оптически активных кристаллах α-HgS. Обсуждены некоторые экспериментальные и физические основы фотовольтаического эффекта в активных кристаллах.

Сернистая ртуть HgS существует в двух модификациях: черная модификация – метациннабарит (β-HgS) -кристаллизуется в кубической системе (точечная группа 3m), красная модификация—циннабарит или киноварь (α-HqS) – кристаллизуется в тригональной системе (точечная группа 32).

В работе исследовались красные кристаллы киновари, обладающие особенно большим удельным вращением вдоль оптической оси для пропускаемых ими красных лучей r=235^>0/мм. Исследовались кристаллы α – HgS, выращенными гидротермальным методом в лаборатория гидротер-мального синтез Институте кристаллографии Российской Академии наук. Исходными веществами для изготовления циннабарита были чистая ртуть в сера. Электрические, электрооптические свойства кристаллов α-HgS и фотоэлектрические свойства кристаллов исследовались в [5,6].

Показано, что оптическая активность кристалла α-HgS сильнее влияет на угловой распределение фотовольтаического тока, измеренного в линейно поляризованном свете.